#Roundhill Memory ETF
•

DRAM ETF資金外流激增，記憶體概念股仍處於熊市

The viral Roundhill Memory ETF (CBOE: DRAM) is losing momentum as its outflows jump. Its top constituent companies also remain in a technical bear market, having fallen more than 20% from their highest levels this year. It ended the week at $59.10, down by 27% from its highest point this year. 病毒式傳播的Roundhill Memory ETF（CBOE：DRAM）正因資金流出激增而失去動能。其前十大成分股也仍處於技術性熊市，較年內高點已下跌逾20%。該ETF本周收於59.10美元，較年內最高點累計下挫27%。 DRAM ETF Outflows are Rising DRAM ETF資金流出正在增加
DRAM ETF資金外流激增，記憶體概念股仍處於熊市
美股#DRAM#ETF#Roundhill Memory ETF
•

多隻美股ETF加倉中國晶片股，長鑫科技、兆易創新獲海外資本增配

近日，多隻美股ETF調整持倉，加大對中國晶片股的配置，釋放出國際資本增配中國硬科技資產的積極信號。 全球最大的記憶體晶片主題ETF Roundhill Memory ETF（DRAM）規模超245億美元，近期再度加倉A股記憶體龍頭。截至8月16日收盤，長鑫科技（688825.SH）在該基金中的權重已升至4.52%，位列第六大重倉股；兆易創新（603986.SH）權重為1.16%，該股於今年6月首次被納入DRAM ETF。8月初數據顯示，該ETF前三大持倉分別為三星電子、美光科技和SK海力士，權重分別為26.39%、24.54%和22.77%。 另一隻美國主動管理型ETF——Tema內存ETF（DISK）近期也宣佈，已將長鑫科技納入持倉，截至8月14日收盤持倉比例達7.54%。長鑫科技近期持續受到海外資本關注。8月13日，長鑫科技總市值超越騰訊控股，正式登頂中國A股及港股市場市值最高的上市公司。 業內人士指出，多隻海外ETF主動增配中國記憶體晶片龍頭，反映出在全球AI算力需求爆發、記憶體晶片持續景氣的背景下，中國半導體企業在全球產業鏈中的核心地位正獲得更多國際資本的認可。
A股#Roundhill Memory ETF#ETF持倉調整#中國晶片股
•

Roundhill Memory ETF已將長鑫科技納入持倉，權重2.52%

$Roundhill Memory ETF (DRAM.US)$已將 CXMT（長鑫科技）納入持倉，權重 2.52%。 Roundhill Memory ETF專注於記憶體晶片企業，截至8月2日，該 ETF 前三大持倉分別為三星電子、美光科技和 SK 海力士，權重分別為26.39%、24.54%和 22.77%。其他主要持倉包括希捷科技、西部資料、閃迪、鎧俠、南亞科技及兆易創新。 (快訊)
Roundhill Memory ETF已將長鑫科技納入持倉，權重2.52%
美股#Roundhill Memory ETF#ETF持倉變動#長鑫科技